點(diǎn)擊圖片查看大圖HXSZ-AG厚銀工藝
簡(jiǎn) 介：
HXSZ-AG 為一不含金屬之銀光劑，厚度可達(dá)100μm及光亮柔軟如鏡的純銀鍍層，經(jīng)防銀變色劑處理後，抗變色性能好。貯存一年以上，鍍層幾乎不變色，可焊性良好。適用於電器和電子工業(yè)。例如可分離連接器、重型觸點(diǎn)、插頭和插座、高頻元件；鍍層導(dǎo)電性良好，接觸電阻小，而且耐磨，操作簡(jiǎn)單，鍍液性能穩(wěn)定，可以在鎳層、青銅和黃銅等銅基體上電鍍，適合掛鍍及滾鍍。
設(shè) 備：
鍍 缸： 用PYREX，PTFE，PVC，PP，等塑料製造。
整 流： 標(biāo)準(zhǔn)直流電源附有安培分鐘，安培計(jì)，電壓計(jì)及電流調(diào)控掣。
陽(yáng) 極： 銀條、不銹鋼或白金鈦網(wǎng)。
攪 拌： 機(jī)械式依次環(huán)迴旋轉(zhuǎn)攪拌，速率為每分鐘7-14米。
過濾系統(tǒng)： 每小時(shí)鍍液低過濾四次，使用高密度濾芯（1-3微米）。
溫度控制： 使用石英或‘鐵氟龍’的發(fā)熱筆及恆溫器。
鍍液配製：
潔淨(jìng)鍍缸後，加入純水2/3缸，加熱至30℃，加入氫氧化鉀及Q化鉀，攪勻至完全混和。
加入光劑HXSZ-AG A 20毫升/升，及HXSZ-AG B 10毫升/升。
加入預(yù)先在純水溶解的Q化銀鉀。
加入純水至所需水位，攪勻至完全混和即可使用。
操作條件：
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掛 鍍 |
滾 鍍 |
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單位 |
範(fàn)圍 |
標(biāo)準(zhǔn) |
範(fàn)圍 |
標(biāo)準(zhǔn) |
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Q化銀鉀（純銀計(jì)） |
克/升 |
20-40 |
30 |
20-40 |
30 |
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游離Q化鉀 |
克/升 |
90-150 |
120 |
90-200 |
150 |
|
氫氧化鉀 |
克/升 |
5-10 |
7.5 |
5-10 |
7.5 |
|
HXSZ-AG A |
毫升/升 |
18-22 |
20 |
18-22 |
20 |
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HXSZ-AG B |
毫升/升 |
8-12 |
10 |
8-12 |
10 |
|
陰極電流密度 |
A/dm2 |
0.5-4.0 |
1 |
0.2-0.5 |
0.5 |
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溫度 |
攝氏（℃） |
20-40 |
25 |
18-30 |
20 |
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酸鹼度 |
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12-12.5 |
12 |
12-12.5 |
12 |
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陰陽(yáng)極比例 |
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1:1-2:1 |
>2:1 |
1:1-2:1 |
>1:1 |
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電鍍效率 |
mg/A·min |
65-70 |
67 |
65-70 |
67 |
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攪拌 |
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中度機(jī)械式 |
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中度機(jī)械式 |
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鍍液保養(yǎng)：
銀之消耗： 每1安培小時(shí)需補(bǔ)充Q化銀鉀8克(50%金屬計(jì))，添加劑消耗約1,000安培小時(shí)需補(bǔ)充500毫升增光劑HXSZ-AG A或每安培小時(shí)添加0.25-l毫升 (掛鍍)，每安培小時(shí)添加0.25-l毫升(滾鍍)及250毫升結(jié)晶幼化劑HXSZ-AG B作補(bǔ)充帶出消耗或每安培小時(shí)添加0.03-0.1毫升(掛鍍)，每安培小時(shí)添加0.05-0.15毫升 (滾鍍)。
Q 化 鉀： 需保持120g/l用以復(fù)合金屬銀，助溶陽(yáng)極及導(dǎo)電。如游離Q化鉀含量偏低，會(huì)發(fā)生陽(yáng)極鈍化及低區(qū)發(fā)霧。如使用不溶性陽(yáng)極，則Q化鉀會(huì)在陽(yáng)極區(qū)消耗，當(dāng)電流密度及溫度變高時(shí)，Q化鉀的消耗會(huì)更高。
溫 度： 對(duì)電流密度有直接影響；較高的溫度可允許使用較高的電流密度，並可幫助陽(yáng)極溶解，但也加速鍍液老化。
調(diào)酸鹼度： 在電解過程中，酸鹼度會(huì)降低，用氫氧化鉀調(diào)整，需保持12度以上。
雜質(zhì)控制： 注意清洗潔淨(jìng)，避免帶入有機(jī)物或金屬雜質(zhì)，故需定期測(cè)試鍍液，及使用連續(xù)活性碳處理。
鍍層資料：
銀 純 度： 99.9％。
鍍層密度： 105毫克/微米?平方分米。
鍍層硬度： 100-130 VICKERS。
電鍍速度： 1微米厚，在1安培/平方分米需1.5分鐘。
電鍍速度： 1微米厚，在10安培/平方分米需9.5秒。
電鍍速度： 1微米厚，在100安培/平方分米需0.95秒。
預(yù)鍍配方：
鍍厚銀前必先做預(yù)鍍銀工序。預(yù)鍍銀可參考以下配方：-
Q化銀鉀（純銀計(jì)） 0.5-1.0克/升
Q化鉀 100-120克/升
電流密度 1-2 A/dm2
溫度 室溫
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