百科名片
能源問(wèn)題正日益成為性問(wèn)題，我國(guó)在太陽(yáng)能光伏產(chǎn)業(yè)的核心技術(shù)已于水平，而用于太陽(yáng)能的主要材料——多晶硅，它的清洗潔凈程度直接影響到太陽(yáng)能電池的成品率和性能。用超聲波清洗的目的主要是清除多晶硅表面的沾污，如微粒，有機(jī)物，無(wú)機(jī)金屬離子、氧化層等雜質(zhì)。多晶硅表面吸附雜質(zhì)的主要原因是，多晶硅表面原子垂直向上的化學(xué)鍵被破壞成為懸空鍵，在多晶硅表面形成自由力場(chǎng)，極易吸附各種雜質(zhì)。這些雜質(zhì)和多晶硅之間迅速形成化學(xué)吸附，難以去除。在生產(chǎn)多晶硅的生產(chǎn)工藝過(guò)程中，其中的一個(gè)重要環(huán)節(jié)，是采用超聲波清洗應(yīng)用技術(shù)。
產(chǎn)品結(jié)構(gòu)
多晶硅超聲波清洗要結(jié)構(gòu)特點(diǎn)：
1、采用三套獨(dú)立的電腦控制機(jī)械臂自動(dòng)化作業(yè)
2、采用第三代，全面完善的防酸防腐措施，保護(hù)到機(jī)器每一個(gè)角落
3、全自動(dòng)補(bǔ)液
4、獨(dú)特的硅片干燥前處理技術(shù)，保證硅片干燥不留任何水痕
5、成熟的硅片干燥工藝，多種先進(jìn)技術(shù)集于一身
6、彩色大屏幕人機(jī)界面操作，方便參數(shù)設(shè)置多工藝方式轉(zhuǎn)換
產(chǎn)品特點(diǎn)
多晶硅超聲波清洗機(jī)具有以下特點(diǎn)：
1、械手或多機(jī)械手組合，實(shí)現(xiàn)工位工藝要求。
2、PLC全程序控制與觸摸屏操作界面，操作便利。
3、自動(dòng)上下料臺(tái)，準(zhǔn)確上卸工件。
4、凈化烘干槽，獨(dú)特的烘干前處理技術(shù)，工作干燥無(wú)水漬。
5、全封閉外殼與抽風(fēng)系統(tǒng)，確保良好工作環(huán)境。
6、具備拋動(dòng)清洗功能，保證清洗均勻。
7、全封閉清洗均勻。
8、全封閉外殼與抽風(fēng)系統(tǒng)，確保良好工作環(huán)境。
工藝流程
自動(dòng)上料→去離子水+超聲波清洗+振動(dòng)篩拋動(dòng)→堿液+超聲波清洗+拋動(dòng)→去離子水+超聲波清洗+拋動(dòng)→堿液+超聲波清洗+拋動(dòng)→堿液+超聲波清洗+拋動(dòng)→去離子水+超聲波清洗+拋動(dòng)+溢流→去離子水+超聲波清洗+拋動(dòng)+溢流→自動(dòng)下料
應(yīng)用范圍
多晶硅超聲波清洗加工設(shè)備，可廣泛用于IC生產(chǎn)及半導(dǎo)體元器件生產(chǎn)中晶片的濕法化學(xué)工藝。該設(shè)備可有效去除晶片表面的有機(jī)物、顆粒、金屬雜質(zhì)、自然氧化層及石英、塑料等附件器皿的污染物，且不破壞晶片表面特性。
爐前(RCA)清洗：擴(kuò)散前清洗
光刻后清洗：除去光刻膠。
氧化前自動(dòng)清洗：氧化前去掉硅片表面所胡的沾污物。
拋光后自動(dòng)清洗：除去切、磨、拋的沾污。
外延前清洗：除去埋層擴(kuò)散后的SiO2及表面污物。
合金前、表面鈍化前清洗：除去鋁布線(xiàn)后，表面雜質(zhì)及光膠殘?jiān)?/p>
離子注入后的清洗：除去光刻膠，SiO2層。
擴(kuò)散預(yù)淀積后清洗：除去預(yù)淀積時(shí)的BSG和PSG。
CVD后清洗：除去CVD過(guò)程中的顆粒。
附件及工具的清洗：除去表面所有的沾污物。
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